一、GB/T2423 有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：

　　1 GB/T 2423.1-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗A: 低溫

　　2 GB/T 2423.2-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗B: 高溫
　　
　　3 GB/T 2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ca:恒定濕熱試驗方法

　　4 GB/T 2423.4-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Db: 交變濕熱試驗方法

　　5 GB/T 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分：試驗方法 試驗Ea和導(dǎo)則: 沖擊

　　6 GB/T 2423.6-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Eb和導(dǎo)則： 碰撞

　　7 GB/T 2423.7-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Ec和導(dǎo)則: 傾跌與翻倒 （主要用于設(shè)備型樣品）

　　8 GB/T 2423.8-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Ed: 自由跌落

　　9 GB/T 2423.9-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Cb: 設(shè)備用恒定濕熱

　　10 GB/T 2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Fc和導(dǎo)則: 振動（正弦）

　　11 GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fd: 寬頻帶隨機(jī)振動－－一般要求

　　12 GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fda: 寬頻帶隨機(jī)振動－－高再現(xiàn)性

　　13 GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動 中再現(xiàn)性

　　14 GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動 低再現(xiàn)性

　　15 GB/T 2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度

　　16 GB/T 2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗J和導(dǎo)則: 長霉

　　17 GB/T 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ka: 鹽霧試驗方法

　　18 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗－－試驗Kb:鹽霧, 交變（氯化鈉溶液）

　　19 GB/T 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kc: 接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法

　　20 GB/T 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kd: 接觸點和連接件的硫化氫試驗方法

　　21 GB/T 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗 M: 低氣壓試驗方法

　　22 GB/T 2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗N: 溫度變化

　　23 GB/T 2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 試驗Q:密封

　　24 GB/T 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Sa: 模擬地面上的太陽輻射

　　25 GB/T 2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AM: 低溫／低氣壓綜合試驗

　　26 GB/T 2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/BM: 高溫／低氣壓綜合試驗

　　27 GB/T 2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AMD:低溫/ 低氣壓 /濕熱連續(xù)綜合試驗方法

　　28 GB/T 2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗T:錫焊試驗方法

　　29 GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度

　　30 GB/T 2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬

　　31 GB/T 2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 傾斜和搖擺試驗方法

　　32 GB/T 2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗方法

　　33 GB/T 2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kca:高濃度二氧化硫試驗方法

　　34 GB/T 2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AD: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗方法

　　35 GB/T 2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AFc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/ 振動（正弦）綜合試驗方法

　　36 GB/T 2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/ 振動（正弦）綜合試驗方法

　　37 GB/T 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗 L: 砂塵試驗方法

　　38 GB/T 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗 R: 水試驗方法

　　39 GB/T 2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ee: 彈跳試驗方法

　　40 GB/T 2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

　　41 GB/T 2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 風(fēng)壓試驗方法

　　42 GB/T 2423.42-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 低溫/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗方法

　　43 GB/T 2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（Ea） 、碰撞（Eb） 、振動（Fc和Fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（Ca）等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則

　　44 GB/T 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Eg: 撞擊 彈簧錘

　　45 GB/T 2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/ABDM：氣候順序

　　46 GB/T 2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Ef：撞擊 擺錘

　　47 GB/T 2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fg: 聲振

　　48 GB/T 2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Ff: 振動－－時間歷程法

　　49 GB/T 2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fe: 振動－－正弦拍頻法

　　50 GB/T 2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗

　　51 GB/T 2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Ke: 流動混合氣體腐蝕試驗

　　二、GB2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 總則

　　三、GB/T2422-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 術(shù)語

　　四、GB2424

　　1.GB2424.1-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 高溫低溫試驗導(dǎo)則

　　2.GB/T2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 濕熱試驗導(dǎo)則

　　3.GB/T2424.9-90 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 長霉試驗導(dǎo)則

　　4.GB/T2424.10-93 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗的通用導(dǎo)則
　　
　　5.GB/T2424.11-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和鏈接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則

　　6.GB/T2424.12-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則

　　7.GB/T2424.13-81 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度變化試驗導(dǎo)則

　　8.GB/T2424.14-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 第2部分 ：試驗方法 太陽輻射試驗導(dǎo)則

　　9.GB/T2424.15-92 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度/低氣壓綜合試驗導(dǎo)則

　　10.GB/T2424.17-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 錫焊試驗導(dǎo)則

　　11.GB/T2424.18-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 在清洗濟(jì)中浸漬試驗導(dǎo)則

　　12.GB/T2424.19-84 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 模擬儲存影響的環(huán)境試驗導(dǎo)則

　　13.GB/T2424.20-85 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 傾斜和搖擺試驗導(dǎo)則

　　14.GB/T2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗導(dǎo)則

　　15.GB/T2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度（低溫、高溫）和振動（正 玄）綜合試驗導(dǎo)則

　　16.GB/T2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 水試驗導(dǎo)則

　　17.GB/T2424.24-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正玄）綜合試驗導(dǎo)則。